4.6. Неймарк Ю. И. Устойчивость линеаризованных сМстем. Л.:

Госэнёргоиздат, 1949.

4.7. Вороненке В. П. Критерий устойчивости схем с /туннельными диодами. - Радиотехника и электроника, 1966, т. 11, Ms 5, с. 963.

4.8. Шварц Н. 3. К расчету усилителя на туннельном диоде с одиночным контуром. - Радиотехника, 1967, т. 22, f 6, с. 49-56.

4.9. Могилевская Л. Я., Хотунцев Ю. Л., Шварц Н. 3. Синтез туннельного усилителя с последовательной стабилизацией. - Радиотехника и электроника, 1969, т. 14, № 4, с. 642.

4.10. Blecher F. Н. Design principles for single-loop transistor feedback amplifiers. - IRE Trans., 1957, v. CT-4, № 3, Sept., p. 250.

4.11. Thomas M. Some design considerations for high-frequency transistor amplifiers. - BSTJ. 1959, v. 38, № 11.

4.12. Hakim S. S. Synthesis of correcting network for a feedback amplifier. - Proc. lEE (London), 1964, v. Ill, № 1, p. 27.

4.13. Brierley H. G., Eng С Transistor-feedback amplifier stabilization using admittance measurements. - Proc. lEE (London), 1969, V. 116, № 1, p. 35.

4.14. Бахтин H. A., Шварц H. 3. К рассмотрению устойчивости транзисторного усилителя СВЧ с помощью орнентнроваиных графов. - Радиотехника и электроника, 1969, т. 14, № 7, с. 1229.

4.15. Davidson U. S. а. о. Optimum stability criterion for tunnel diodes shunted for resistance and capacitance. - Proc. IEEE, 1963. V. 51, № 9, p. 1233.

4.16. Henoch В., Kvaerna Y. Stability criteria for tunnel diode amplifiers.-IRE Trans., 1962, V. MTT-10, № 5, p. 397.

4.17. Богачев В. М., Никифоров В. В. Влияние индуктивности базового вывода на устойчивость транзисторного усилительного каскада с общей базой. - Радиотехника, 1974, т. 29. Ne 7, с. 61-65.

4.18. Whitson R. В. Impedance mapping in tunnel diode stability analysis. - IRE Trans., 1963, v. CT-10, № 2. p. 111.

4.19. Гуткин Л. С, Лебедев В. Л., Сифоров В. И. Радиоприемные устройства/ Под ред. В. И. Сифорова. - М.: Сов. радио, 1961.

4.20. Чистяков Н. И. Резонансные усилители и предварительные селекторы. - М.: Связь, 1939.

4.21. Куликовский А. А. Линейные каскады радиоприемников.- М.: Госэнёргоиздат. 1958.

4.22. Шуцкой К. А. Транзисторные усилители высокой частоты.- М.: Энергия, 1967.

4.23. Шапиро Д. И. Основы теории и расчета усилителей высокой частоты на транзисторах. - М.: Сов. радио, 1962.

4.24. Демьянов В. В., Акулииичев И. Т. Резонансные усилители на лампах и транзисторах. - М.: Энергия, 1970.

4 25. Stern А. Р. Stability and power gain of tuned transistor amplifiers.-Proc. IRE, 1958, V. 46, № 3.

4.26. Воробьева E. Ф. Устойчивость резонансных усилителей с плоскостными полупроводниковыми триодами. - Радиотехника. 1959. т. 14, № 6.

4.27. Богачев В. М., Никифоров В. В. Влияние паразитной индуктивности эмиттерного вывода на устойчивость генератора с внешним возбуждением. - Радиотехника, 1972, т. 27. № 3 с. 48-55.

Hartman И. J., Michelitsch М. и. а. Die Tunnel Diode. Physik kalische Grundladen. - AEU, 1961. B. 15, № 3, S. 125. Лангер e. Туннельный диод-новый активный элемент радиосхем. - Зарубежная радиоэлектроника, 1961, № 10. Шварц И. 3. К расчету усилителя на туннельном диоде с одиночным контуром. - Радиотехника, 1967, т. 22, № 6. с. 49-56 Shorpe G. е., Smith J. L., Smith J. R. W., A power theorem on absolutely stable two-ports. - IRE Trans., 1961. v. CT-8 № 1 March, p. 30.

Rollett J. M., Stability and power gain invariants of linear two* ports. - IRE Trans., 1962. v. CT-9, № 1. p. 29. Linvill J. G., Schimpf L. G. The design of tetrode transistor amplifiers. -BSTJ, 1956, v. 35, № 7. p. 813-840. Venkateswaran S., Boothroyd A. R. Power gain and bandwidth of tuned transistor amplifier stades. - Proc. lEE, 1959. v 106B. suppl., № 15, p. 518-529.

Macrobio L. Power gain and stability of narrow-band amplifiers emplaying unidirectional electronic devices.- IRE Trans.. 1960, V. CT-7, № 2. June. p. 121.

Garli. Cascaded noncommensurate transmission line networks as optimization problems. - IEEE Trans.. 1962. v. CT-9. № 3. p. 391-393.

Walter H. K. A simple derivation for the stability criterion of linear active two-ports. - Proc. lEE. 1964, v. 1. № 3. p. 310. Hauri e. R. Overall stability factor of linear two-ports in terme of scattering parameters. - IEEE J. of Sol. St. Circuit, 1971, № 12, p. 413.

Куликовский A. A. О взаимной связи критериев устойчивости электронных цепей. - Радиотехника, 1971. т. 26. № 3. с. 83-84.

Kurth G. F. А simple calculation of determinant polinominal of general networks. - IEEE Trans., 1967. v. CT-14, № 2, p. 234.

Агеев M. И.. Алик В. П., Галнс P. М. Библиотека алгоритмов (I-50). -М.: ВЦ АН СССР. 1966.

Алгоритмы (151-200)/ М. И. Агеев. М, Г. Блюмберг, Ю. И. Марков, Г. М. Швакова; Ин-т проблем управления: ВЦ АН СССР. - М.: 1970.

Булатов М. Г., Раев М. Г., Шварц Н. 3. К исследованию устойчивости каскадных соединений активных четырехполюсников иа СВЧ. - Радиотехника и электроника, т. 18. № 5. 1973.

К главе 5

5.1. Gugenbuehl W., Starutt М. J. О. Theory and experiments on shot noise in semiconductor junction diodes and transistor.- Proc. IRE, 1957, v. 45, № 5, p. 839.

5.2. Nielsen E. G. Behavior of noise figure in junction transistor.-Proc. IRE, 1957, V. 45, № 7, p. 957.

5.3. Ван дер Зил A. Флюктуационные явления в полупроводниках.- Пер. с англ. -М.: ИЛ. 1961.

5.4. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение).: Пер. с англ./ Под ред. А. К. Нарышкина.- М.: Сов. радио, 1973.

5.5. Malaviga S. D., Van der Ziel A. A simplified approach to noise in microwave transistors -Sol. St. Electr., 1970, v. 13, № 12, p. 1511-1518.

4.28.

4 29. 4.30. 4.31.

4.32. 4.33. 4.34.

4.35.

4.36.

4.37. 4.38.

4.39.

4.40.

4.41. 4.42.

4.43.

5.6. Haus Н. A. a. о. Representation of noise in lineare twoports.- Proc. IRE, 1960, V. 48, № i. p. 69.

5.7. Hartmann K. Noise characterization of linear circuits. - IEEE Trans., 1976, V. CAS-23, № lO, p. 581-590.

5.8. Bachtold W., Strutt M. J. O. Optimum source admittance for minimum noise figure of microwave transsistor. - Electr. Letters, 1968, V. 4, № 17, p. 346-348.

5.9. Fukui H. Available power, gain, noise figure and noise measure of two-port. - IEEE Trans., 1966, v. CT-13. № 2, p. 137.

5.10. Hawkins R. J. Limitation of Nielsens and related noise equations applied to microwave bipolar transistors, and a new expression for the frequency and current dependent noise figure.- Solid State Electronics, 1977, v. 20, p. 191-196.

5.11. Das M. В., Dogha O. A. On the noise performance of bipolar transistors in untuned amplifiers. - Solid State Electronics, 1976, V. 19, p. 827-836.

5.12. Tucker R. S. Low-noise design of microwave transistor amplifiers. - IEEE Trans., 1975, MTT-23, Ws 8, p. 607.

К главе 6

6.1. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью: Пер. с англ./ Под ред. А. А. Колосова и Л. А. Ме-еровича. - м.: ИЛ, 1948.

6.2. Фано Р. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ./ Под ред. Г. И. Слободе-нюка. -м.: Сов. радио, 1965.

6.3. Carlin Н. J. Methodes modernes de synthese des reseaux de lignes de transmission. - LOnde Electrigue, 1967, v. 47, № 1, p. 8-68.

6 4. Youla D. C. A new theory of broad-band matching. - IEEE

Trans., 1964, V. CT-11, № 1, p. 30-50. 6 5. Wenzel R. J. Exact design of ТЕМ microwave networks using

quarter-wave lines. -IEEE Trans., 1964. v. MTT-11, № 1,

p. 94-111.

6.6. Matthaei G. L. Synthesis of Tchebycheff impedance matching networks, filters and interstages. - IRE Trans., 1956, v. CT-3, № 3, p. 163-172.

6.7. Шварц H. 3. Синтез оптимальных туннельных усилителей с учетом паразитных параметров диодов. - Радиотехника и

электроника. 1967, т. 12, № 10, с. 1836.

6.8. Шварц Н. 3., Увбарх В. И. Новые соотношения для синтеза чебышевских полосовых согласующих цепей с нерезонаисными звеньями. - Радиотехника, 1968, т. 23, № 10, с. 5.

6.9. Шварц Н. 3. К синтезу согласующих цепей и фильтров с максимально-плоскими характеристиками. - Радиотехника, 1969, т. 24, № 1, с. 104-106.

6 10 Weinberg L., Slepian P. Takahasis results on Tchebycheff and Butterworth ladder networks. - IRE Trans., 1960, v. CT-7, p. 88.

6.11. Green E. Synthesis of ladder networks to give Butterworth or Tchebycheff response in the pass-band. - Proc. lEE, 1954, v. 101, Pt. IV, p. 192.

612. Levy R. Explicit formulas for Chebyshev impedance matching networks, filters and interstages - Proc. lEE, 1964, v. Ill, № 6, p. 1099-1106.

6.13. Plotkin S., Nahi N. E. On limitations of broad band impedance matching without transformer. - IRE Trans., 1962, v. CT-10 № 2, p. 125-132.

6.14. Shea T. E. Transmission networks and wave filters. - N. Y.; Toronto; London; Melburn: D. Van Nostrand Company, Inc Princeton, 1929.

6.15. Шварц H. 3. К теории широкополосных согласующих цепей высоких и сверхвысоких частот без трансформаторов.- Радиотехника и электроника, 1971, т. 16, № И, с. 2110.

6.16. Getsinger W. J. Prototypes for use in broad-band reflection amplifiers. - IEEE Trans., 1964, v. MTT-12, № 6, p. 486.

6.17. Penfield P. J. Noise in negative-resistance amp itiers. - IRE Trans., 1960, V. CT-7, № 2, p. 166-171.

6.18 Youla D. C. On scattering matrices normalized to complex port numbers. - Proc. IRE, 1961, v. 49, № 7, p. 1221.

6.19 Chan Y. Т., Kuh E. S. A general matching theory and its application to tunnel diode amplifiers. - IEEE Trans., 1966. v. CT-13, № 1, p. 6-18.

6.20. Шварц H. 3. Соотношения для широкополосного согласования iLC-нагрузок с генератором. - Радиотехника, 1969, т. 24, № 11, с. 92-95.

6.21. Wohlers М. R. Complex normalization of scattering matrices and the problem of compatible impedances. - IEEE Trans., 1965, v. CT-12, № 4, p. 528-535.

6.22. Scheffler J. D. Impedance transformation using lossless networks. - IRE Trans, 1961, v. CT-8, № 2, p. 131-137.

6.23. Ho C. W., Balabanian N. Synthesis of active and passive compatible impedances. - IEEE Trans., 1967, v. CT-14, № 2, p. 118-128.

6.24. Fielder D. C. Broad-band matching between load and source systems. -IRE Trans., 1961, v. CT-11, № 2, p. 138.

6.25. Weinberg L. Network analysis and synthesis. - New York: Mc Graw-Hill Book Co, 1962.

6 26 Собенин Я. A. Расчет полиномиальных фильтров. - М.: Связь, 1963.

6.27. Matthaei G. L. Tables of Chebyshev impedance-transforming network of low-pass form. - Proc. IEEE, 1964, v. 52, № 8, p. 939.

6.28 Шварц H. 3. К анализу лестничных фильтров с потерями в индуктивных звеньях. - Радиотехника, 1971, т. 26, № 10, с. 87-90.

6.29. Coulton М. а. о. Status of lumped elements in microwave integrated circuits-present and future. - IEEE Trans., 1971, v. MTT-19, № 7, p. 588.

6.30. Daly D. A. a. o. Lumped elements in microwave integrated circuits.-IEEE Trans., 1967, V. MTT-15, № 12, p. 713.

6.31. Caulton M. The lumped element approatch to microwave integrated circuits. - Microwave J, v. 13, № 5, 1970, p. 51-52.

6.32. Scanlan J. O., Lim J. T. The effect of parasitic elements of reflection type tunnel diode amplifier performance. - IEEE Trans, 1965, v. MTT-13, № 6, p. 827-836.

6 33. Schwartz E. Zur Theorie der Anpassung mit zwei Reaktanzen.- Archiv der elektrischen Ubertragung, 1969, B. 23, № 4, S. 169.

6.34. Schwartz E. Die Bandbreite von Anpasungt vierpolen mit zWei Reaktanzen. - Archiv der elektrischen Ubertragung, 1970, B. 24, № 4, S. 179.

6.35. Phillips E. N. Ell-network charts simplify impedance matching.- Microwaves, 1968, v. 7, № 5, p. 44.

6.36. Hamid M. A., Yunik M. M. On the design of stepped transmission line transformers. - IEEE Trans., 1967, v. MTT-15, Wq 9, p. 528.

6.37. Steinbrecher D. H. An interesting impedance matching network.-IEEE Trans., 1967, v. MTT-15, p. 382.

6.38. Раев M. Д., Шварц Н. 3. Согласование комплексных сопротивлений в СВЧ-микроэлектроиикч,=:=в. вузов СССР. Ра-

1яиоэлектроника, 1972, т. 15, №6. с 7287

6.39. НаЙвТИ . Д.г1ПварцТ1Г31 Ж вопросзГ широкополосного согласования иммитансов с частотно-зависимой активной составляющей. - Радиотехника и электроника, 1975, т. 20, Я 3, с. 651.

К главе 7

7.1. Белецкий А. Ф. Теоретические основы электропроводной связи в 3-х ч, ч. III. -М.: Связь, 1969.

7.2. Гилемин Э. А. Синтез пассивных цепей: Пер. с англ./ Под ред. М. М. Айзинова. -М.: Связь, 1970.

7.3. Атабеков Г. И. Теория линейных электрических цепей.- М.: Сов. радио, 1960.

7.4. Ланнэ А. А. Оптимальный синтез линейных электрических цепей. -М.: Связь, 1969.

7.5. Собенин Я. А. Расчет полиномиальных фильтров. - М.: Связь, 1963.

7.6. Chousi N. S., Kelly J. I. Introduction to distributed-parameter networks with application to integrated circuit. - N. Y.: Holt, 1968.

7.7. Бандман О. Л. Синтез электронных iKC схем. - М.: Наука, 1966.

7.8. Гапличук Л. С Структурный синтез транзисторных усилителей с обратной связью. - М.: Связь, 1972.

7.9. Анализ и расчет интегральных схем: Пер. с англ./ Под ред. Б. И. Ермолаева, П. И. Завалишина. - М.: Мир, 1969.

710 Стюарт Дж. Теория и синтез электрических цепей. - Пер. с англ./ Под ред. П. И. Ионкина. -М.: ИЛ, 1962.

7.11. Ннколаенко Н. С. Синтез транзисторных усилителей и фильтров. - Л.: Энергия, 1970.

7.12. Archer J. А. а. о Use of transistor-simulated inductance as an interstage element in broadband amplifiers. - IEEE J. 1968, v. SC-3, № 1, p. 12

7.13. Chao S. C. Computer-aided design of broadband UHF transistor amplifiers - Microwave J., 1969, v. 12, Na 7, p. 79.

7.14. Gelnowatch V. G. Computer-aided design of wide-band integrated amplifiers on high dielectric substrates. - IEEE Trans., 1968, v. MTT-16, Пя 7, p. 429-439.

7.15. Johnson G. D. Design consideration for low-noise microwave transistor amplifiers. - In: IRE Wescon Conv. Rec.:/ Techn. Papers., N. Y., 1966, 22.05, Pt. 6, p. 1-6.

7.16. Колтон M. Проектирование усилителей СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами. - Электроинка, 1969, т. 42, № 8.

7.17. Engelbrecht R. S., Kurokawa К. А. Wide-band low-noise L-band balanced transistor amplifier. - Proc. IEEE, 1965, v. 53, № 1, p. 237-247.

7.18. Saunders J. E., Stark P. D. An integrated 4-GHz balanced transistor amplifier. - IEEE J., 1967, v. SC-2, № 1, p. 4.

7.19. Бахтин H. A., Шварц H. 3. Выравнивающие цепи с потерями для транзисторных усилителей СВЧ. - Радиотехника и электроника. 1970, т. 15, № 5, с. 1102.

7.20. Бахтин Н. А., Шварц Н. 3. Транзисторные усилители СВЧ с диссипативными выравнивающими цепями. - Радиотехника и электроника, 1971, т. 6. № 8. с. 1401-1410.

7.21. Liechty С. А., Tiiman R. L. Design and performance of microwave amplifier with GaAs Schottky gate PET.- IEEE Trans, 1974, v. MTT-22. № 5, p. 10.

7.22. Трофименко A. И., Лиханов Ю. M. Двухканальный транзисторный усилитель СВЧ. - Электронная техника. Сер. 1, 1975, вып. 10, с. 98.

7.23. Tucker R. S. Gain-bandwidth limitation of microwave transistor amplifiers. -IEEE Trans., 1973, v. MTT-21, Ne 5, p. 322-327.

7.24. Ku W. H., Petersen W. Optimum gain-bandwidth limitation of transistor amplifiers. - IEEE Trans., 1975, v. CAS-22, № 6, p. 523-533.

7.25. Mellor D. G., Linvill J. G. Synthesis of interstage networks of prescribed gain versus frequency slopes. - IEEE Trans., 1975, V. MTT-23, № 12, p. 1013-1020.

7.26. Lotsch H. K. V. Theory of nonlinear distortion, produced in a semiconductor diode. -IEEE Trans., 1968, v. ED-15, № 5, p. 294-306.

7.27. Disman R. I. Dynamic range performance of microwave transistor amplifier. - Microwave J., 1973, v. 16, p. 46.

7.28. Marshall N., Optimizing multi-stage amplifiers for linearity.- Microwaves, 1974, v. 13, № 5, p. 50, 52, 64.

729. Полковский И. М. Стабилизированные усилительные устройства на транзисторах. - М.; Л.: Энергия, 1965.

7.30. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1973.

7.31. Richter К. Design D. С. stabibility into your transistor circuits. - Microwaves, 1973, V. 12, № 1, p. 40-46.

7.32. Темеш Г., Калахан Д. А. Машинная оптимизация электронных цепей. - ТИИЭР, 1967. т. 55, № Ц, с. 65.

7.33. Малорацкий Л. Г., Хурция Л. И. Конструкторско-техиологиче-ские вопросы проектирования интегральных СВЧ модулей.- Зарубежная радиоэлектроника, 1974, № 9, с. 61-96.

7.34. Малорацкий Л. Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. -М.: Сов. радио, 1976.

7.35. Пресс Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборв. - М.: Энергия, 1968.

7 36. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология: Пер. с англ./ Пер. В. И. Ленкин, Е. И. Гнвартизов. - М.: Энергия, 1972.

7.37. Градштейн И. С, Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. - М.: Физматгиз, 1962, с. 77.

К гла ве 8

8.1. Собенин Я. А., Кобызева Н. Н. Расчет амплитудных выравнивателей, - М.; Связь. 1970.

8.2. Маттей Г. Л., Янг Л., Джонс Е. М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: Пер. с англ./ Под ред. Л. В. Алексеева и Ф. В. Кушнира. - М.: Связь, 1971.

8.3. Гурвич М. В., Шварц Н. 3. Транзисторные усилители СВЧ с комбинированными выравнивающими цепями. - Радиотехника и электроника, 1978, т. 23, № 10, с. 2168.

К главе 9

9.1. Pitzalis О., Gilson R. А. Tables of impedance matching networks withs aproximate prescreibed attenuation wersus frequency slopes. -IEEE Trans., 1971, v. MTT-19, Ns 4, p. 381.

9.2. Matthei G. L. Schort-stepp Chebyshev impedance-transformers.- Trans. IEEE, 1966, v. MTT-14, № 8, p. 372-383.

9.3. Cohn S. B. Design of lumped-ditributed ladder filters. -IEEE Trans., 1973, v. MTT-21, № 5, p. 320.

9.4. Richards P. I. Resistor transmission line circuits. - Proc. IRE, 1948, v. 36, p. 217-220.

9.5. Farrar A., Adams A. T. Matrix methods for microstripp three - dimensional problems. - IEEE Trans., 1972, v. MTT-20, № 8, p. 497-504.

9.6. Беллон О. О., Котляр М. Я. и др. Параметрический синтез щирокополосных трансформаторов полных импедансов сосредо-точено-распределенной структуры. - Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника, 1977, т. 20, № 3, с. 65.

9.7. Гурвич М. В., Шварц Н. 3. Синтез широкополосных транзисторных усилителей СВЧ с реактивными выравнивающими цепями.- Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника, 1979, т. 13, № 1, с. 89-94.

К гла ве 10

10.1. Kurokava К. Design theory of Balanced transistor amplifiers.- BSTJ, 1965, v. 44, Ni 8, p. 1675-1699.

10.2. Knerr R. H., Swan C. B. A low-noise arsenide field effect transistor amplifier for 4 GHz radio. - The Bell System Tech. J., 1978, v. 57, № 3, p. 479.

к главе И

11.1. Альбац М. Е. Справочник по расчету фильтров н линий задержек.-М.; Л.: Госэнергоиздат, 1963.

11.2. Ханзел Г. Справочник по расчету фильтров: Пер. с англ./ Под ред. А. Е. Знаменского. - М.: Сов. >адио, 1975.

11.3. Cohn S. В. Dissipatation loss in multiple-couple-resonator filters. - Proc. IRE, 1959, v. 47, № 8, p. 1342-1348.

11.4. Young L. Reflections on microwave filters and couplers.- Microwave J., 1968, v. 11, № 4, p. 54-63.

11.5. Rollett i. M. The measurement of transistor unilateral gain.- IEEE Trans., 1965, v. CT-12, № 2, p. 91-97.

11.6. Rothe H., Schubert J. The gain and the admittance matrix of neutralized amplifier stages. - Proc. IEEE, 1966, v. 54, № 8, p. 1046.

11.7. Симонов Ю. Л. Нейтрализация резонансных усилителей на полупроводниковых триодах. - Электросвязь, 1960, № 10, с. 35.

11.8. Ризкии А. А. О регенерации и нейтрализации каскадов на полупрородинковы;? триодах. - Электросвязь, 1958, № 2, с. 12,

11.9. Казаков А. Ю., Шварц Н. 3. Исследование нейтрализации внутренних обратных связей СВЧ транзисторов. - Полупроводниковые приборы в технике электросвязи/ Под ред. И. Ф. Николаевского. - М.: Сов. радио, 1974, выи 14 с. 98-107.

11.10. Петров Г. В., Толстой А. И. Расчет линейных однокаскад-ных транзисторных СВЧ усилителей с согласующими цепями без потерь. - Радиотехника, 1977, т. 32, № 10, с. 79.

К главе 12

12.1. Сигорский В. П. Анализ электронных схем.- Киев.: Гостех-издат, 1960.

12.2. Козлов В. И., Юфит Г. А. Проектирование СВЧ устройств с помощью ЭВМ: - М.: Сов. радио, 1975.

12.3. Калахан Л. Методы машинного расчета электронных схем: Пер. с англ./ Под ред. И. Сирвидаса. - М.: Мир, 1970.

К главе 13

13.1. Кук Г. Вопросы теории и проектирования СВЧ-транзисторов.- ТИИЭР, 1971, т. 59, № 8, с. 35-56.

13.2. Радиоизмернтельные приборы: Каталог-справочиик/ НИИЭИР.- М.: 1975.

13.3. Элеибрук Д. А. Измерения фазовых сдвигов в дециметровом и СВЧ-диапазонах. - ТИИЭР, 1967, т. 55, № 6, с. 249-259.

13.4. Суворов В. А. Измерения комплексного коэффициента передачи.- Вопросы радиоэлектроники. Сер. РТ, 1967, вып. 5.

13.5. Миллер С. К., Дейвитт В. К., Артур М. Г. Эталонные шумовые генераторы измерения шумов приемников. - ТИИЭР, 1967, т. 55, № 6, с. 146-160.

13.6. Тетерич Н. М. Генераторы шума и измерение шумовых характеристик. - М.: Энергия, 1968.

13.7. Lange I. Noise characterization of linear two ports in terms of invariant parameters. - IEEE J., 1967, y. SC-2, p. 37-40.

К г л a в e 14

14.1. Жаворонков В. И., Изгагин Л. Н., Шварц Н. 3. Транзисторный усилитель СВЧ с полосой пропускания 1-1000 мггц.- Приборы и техника эксперимента, 1972, № 3, с. 134.

14.2. Chao S. С. Computer-aided design of Broad-band UHF transistor ampflifiers. - Microwave J., 1966, v. 9, № 7, p. 79-83.

14.3. Sturzu P. Build a 12 octave hybrid amplifiers. - Microwaves, 1974, v. 13, № 6, p. 54-57.

14.4. Vendelin G., Archer J., Bechtel G. A low-noise integrated S-band amplifier. - Microwave J., 1974, v. 17, № 2, p. 47-50.

14.5. Kuchn N. CAD with graphics make circuits design a science.- Microwaves, 1974, v. 13, № 6, p. 42-52.

14.6. Gledhill, Abulela M. F. Scattering parameter approatch to the design of narrow-band amplifiers employing conditionaly stable active elements. - IEEE Trans, 1974, v. MTT-22, № 1, p. 43-48.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

lo, Ак - площади эмиттера н коллектора г, bi - нормированные волны мощности

Са, Сп - активная и пассивная емкости коллекторного перехода

Ск1, Ск2 - емкости корпуса

Ск - эффективная емкость коллектора

Сэ - зарядная емкость эмиттерного перехода

Сдиф - диффузионная емкость

Dn, Dp - коэффициенты диффузии электронов и дырок

Яг - э. д. с. источника сигнала

F - коэффициент шума

С?нои - номинальный коэффициент усиления

GaoMi, Gbom2. Ghomi,2 - номинальный коэффициент усиления четырехполюсника согласованного по входу, по выходу и при двустороннем согласовании

Сш - эквивалентная шумовая проводимость

g, - нормированное (к ю') значение реактивного параметра

Ллб, thia - коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОБ и ОЭ при коротком замыкании на выходе

/э - ток эмиттера

/днф, /др - диффузионная и дрейфовая составляющие тока h - ток насыщения эмиттерного перехода /к - ток коллектора

КБО-обратный ток коллекторного перехода / - плотность тока

К - инвариантный коэффициент устойчивости

iC./С|-коэффициент трансформации сопротивления вверх, вниз L - диффузионная длина неосновных носителей в базе

- коэффициент затухания (коэффициент или

функция рабочего затухания) Lc, La - индуктивности базы н эмиттера 1/Х - электрическая длина отрезка линии т - избыточный фазовый коэффициент Л^а, Л^д - концентрация акцепторов, доноров

Л^б(0), N6(W)-концентрация примесей в базе вблизи эмиттера, коллектора

п, - концентрация электронов в полупроводнике с собственной проводимостью

пп, пр - концентрация электронов в электронном, дырочном полупроводнике

Рп, Рр, ff - концентрация дырок в электронном, дырочном полупроводнике и избыточная

p=jQ - комплексное значение частоты в плоскости НЧ прототипа Q - заряд

Qo, Qa - добротность собственная, нагруженная R, L, С - действительные значения параметров г, I, с - нормированные значения параметров

г', I, с'-нормированные значения параметров в плоскости НЧ

прототипа Кб - сопротивление базы

Res, Rcn, Rck - активное, пассивное н контактное сопротивление базы

/?э - сопротивление эмиттерного перехода &Ra - Сбпротивление эмиттера вне перехода

Rc - сопротивление толщи полупроводника коллектора вне перехода

r(p=\lgo - НЧ сопротивление коллекторного перехода

/?ш - эквивалентное шумовое сопротивление

8гз - параметры стандартной матрицы рассеяния

Slj, гз - параметры универсальной матрицы рассеяния для стандартных S.j-параметров и в общем случае

SxjH, stj - параметры нормированной и ненормированной матриц рассеяния

Т - температура (абсолютная)

ta=RaCa - время задержки носителей в цепи эмиттера

tg, tg, -время задержки носителей в обедненном слое и

в толще полупроводника коллектора, в базе и - напряжение (внешнего источника)

и, пад, Ui OTP - волны напряжения, падающие на четырехполюсник и отраженные от него (/=1, 2)

<г/--функция - коэффициент передачи нейтрализованного и согласованного транзистора

V=ip-1-L/ - напряжение иа переходе

v - скорость носителей

fflP, Us -скорость носителей дрейфовая и предельная, ограниченная

рассеянием на примесях В7 -ширина базы

Wg - толщина обедненного слоя коллектора

Е)=А(в/<Оо - относительное значение полосы пропускания

X - реактивное сопротивление

Уг=Ог+]Вт - проводимость источника сигнала, полная, активная и реактивная

Уог=Сог4-]ог - полная, активная и реактивная проводимости источника сигнала, реализующие режим двустороннего согласования

У11=Сн+]Вн - проводимости нагрузки, полная, активная и реактивная

Уон=Сон+]Вов - полная, активная н реактивная проводимости нагрузки, реализующие режим двустороннего согласования

Увх, Увых -входная н выходная проводимости четырехполюсника

¥вкт=У*от - входная проводимость четырехполюсника, нагруженного на выходе на Уон

Увыхт=У*он - выходная проводимость четырехполюсника, нагруженного на входе на Уог

Уом, gom, Вом - полная, активная н реактивная проводимости источника сигнала, реализующие Mmin

у OF, GoF, В OF-полная, активная, и реактивная проводимости источника сигнала, реализующие f min

У о, - характеристическая проводимость и ее относительное значение

Hij. Zij, hij, Oij - параметры матриц проводимости, сопротивления,

иммитанса, передачи Уив, Zija, hija, ацв - Нормированные параметры уц, z,j, кц, а Zo, го - характеристическое сопротивление и его относительное значение

2i=J?j-l-iXi - комплексное сопротивление Zkop-сопротивление корреляции

2г, Zh-у комплексные сопротивления источника сигнала и нагрузки 2i=i+jJfi -относительное значение комплексного сопротивления 2m.--комплексные сопротивления, реализующие Свомьг (i=l, 2) а = От м -коэффициент передачи теоретической модели СВЧ транзистора с учетом эффективности эмиттера Ост -коэффициент передачи теоретической модели СВЧ транзистора для большого сигнала С-- нормированное значение реактивного параметра, емкости, индуктивности Р* - коэффициент переноса базы Г - коэффициент отражения

Гвх т=Гит=Г*т1 - ВХОДНОЙ коэффнцнент отражсння четырехполюсника, нагруженного на Уон

Гвых т=Г22т=Г*т2 - ВЫХОДНОЙ коэффициент отражения четырехполюсника, нагруженного на Уог

Гть Гт2 - коэффициенты отрзжеиия нагрузок, реализующих Ghomi,2 (измеренные в стандартной линии)

у, Vo - эффективность эмиттера и ее НЧ значение

е - диэлектрическая постоянная

Цк, Цв, Цп, Цр - подвижности носителей в базе, коллекторе, эмиттере, подвижности электронов, дырок

I - обобщенная расстройка

р, о - удельные сопротивление и проводимость

Тр, Тп - время жизни дырок, электронов

Ф=2я/Д - электрическая длина отрезка линии (в радианах) 1]) - контактная разность потенциалов (О - текущая частота

Шв, Юя - верхняя н нижняя частоты полосы пропускания усилителя

о = У<0в<05,- центральная частота полосы пропускания усилителя в, Шн, (о„ =(ob<a - верхняя, нижняя и центральная частоты устройства, внещнего по отнощению к усилителю

TSsi<ot -экстраполированная граничная частота коэффициента передачи в схеме с ОЭ

шг=1/<эк - величина, обратная полной задержке носителей в транзисторе

Шэ, ш^, <0s, <0д=<0р, -критические частоты эмиттерной цепи, коллекторной цепи, обедненного слоя, базы Q - нормированное з]1ачение частоты

игр о, Игр ь Игр п - граничные частоты областей потенциальной устойчивости

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Аппроксимация коэффициента отражения 132

- максимально-плоская 132

- чебышевская 133

Базы коэффициент переноса 18

- активная область 13

- пассивная область 13

Волновые параметры 44 Волны мощности 46 Выравнивающая цепь 173 Г- и П-образная 187 постоянного входного сопротивления 190

простейшая диссипативная 184

Диффузия 7 Дрейф носителей 7

Емкость зарядная 16

- диффузионная 17

- коллектора активная 24

- - пассивная 24. 27 --эффективная 27

- корпуса 59

Измерение АЧХ 291

- коэффициента шума 293

- нестандартных S-парамет-ров 288

- стандартных S-параметров 285

Инверсия знака проводимости 14

Коллектора обедненный слой 22

Коэффнцнент устойчивости инвариантный 42, 71

Коэффициент передачи: базы 18

выравнивающей цепи 186 коллекторной цепи 23 продольной структуры 24 теоретической модели 25 Коэффнцнент усиления номинальный 41

нейтрализованного усилителя 33

при согласовании на входе 43

-- на выходе 43

Коэффициент шума 117 минимальный 113 многокаскадного усилителя 123

Матрица узловых напряжений 59

- контурных токов 337

- стандартных S-параметров 44

- универсальный -параметров 46

Машинные методы анализа и

синтеза 274, 281 Модель СВЧ транзистора 11

бесструктурная 37

топологическая 11

физическая 29, 57

Низкочастотные прототипы 141 рекуррентные соотношения 338

Нормирование частоты 131

- элементов цепей 134

Подвижность носителей 19 Проводимость генератора: реализующая Оно м 1,2 41, 52

- Fmbh 117, 120

- Ммин 125

Проводимость дырочная 6

- нагрузки, реализующая Свои 1,2 41, 52

- транзистора входная 52

- электронная 6

Рассогласование широкополосное 177

Системы параметров волновые 44 классические 38, 40 матрицы рассеяния 44

Согласование комплексных нагрузок 197

нерезонансными цепями 145 НЧ согласующими цепями

137, 143

простейшими цепями 159 резонансными цепями 224 цепями с распределенными постоянными 163, 165 Структура транзистора продольная 15

- базы 18

- коллектора 22 -- поперечная 26

- транзистора в целом 24

- эмиттера 18

Схема включения транзистора с ОЭ 11, 32 с ОБ 11, 30, 75, 109

Транзистор, принцип работы 6 Трансформация сопротивлений

138, 150

Усилители с разделенными согласующими н выравнивающими цепями 183 балансные 235 без согласующих цепей 198 в области К>1 245

--/ 1 256

на транзисторных парах 237, 345

с выравнивающими цепями диссипативными 193

---комбинированными

---реактивными 200

с обратной связью 235

--- нейтрализованной

с объединенной согласующе-выравнивающей цепью 211 с широкополосными согласующими цепями 196 узкополосные с ФСС 243 Усилителей базовые схемные решения 303

- оптимизация на ЭВМ 277

- сравнительные характеристики 301

- техника реализации 299

- экспериментальные методы реализации 298

Устойчивости критерии: нммитансный 91, 98 Михайлова 87 Найквиста 87 Найквиста - Боде 90 общие 81

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие.............. 3

Часть I. ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ТРАНЗИСТОРОВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ усилителей СВЧ . . 6

Глава 1. Физические основы СВЧ транзисторов и их моделирование .............. 6

1.1. Причины частотных ограничений...... 6

1.2. Модели СВЧ транзисторов........ 12

1.3. Параметры транзистора........ 30

Глава 2. Бесструктурные модели СВЧ транзисторов и системы параметров, характеризующие их...... 37

2.1. Общие соображения......... 37

2.2. Системы параметров классических матриц. Матрица проводимости............ 40

2.3. Система s-параметров......... 43

2.4. Система универсальных s-параметров..... 46

2.5. Системы нестандартных s-параметров..... 54

Глава 3. Уточнение физической модели СВЧ транзистора и

ее анализ ............. 57

3.1. Выбор модели н табулирование s-параметров . 57

3.2. Модель с оптимизированными значениями параметров 63

3.3. Анализ физической модели........ 66

3.4. Исследование инвариантного коэффициента устойчивости .............. 71

Глава 4. Устойчивость транзисторных усилителей СВЧ . . . 76

4.1. О согласованных методах исследования устойчивости 76

4.2. Общие критерии, применяемые для анализа устойчивости транзисторных усилителей СВЧ..... 81

4.3. Критерии, применяемые для исследования устойчивости усилителей при варьируемых и произвольных нагрузках. Безусловная и потенциальная устойчивость . 92

4.4. О корректности моделей при анализе устойчивости 100 4 5. К методике исследования устойчивости транзисторных

усилителей СВЧ различных типов...... 107

Глава 5. Шумовые свойства транзисторов и транзисторных

усилителей СВЧ............ 113

51. Шум в СВЧ транзисторах. Основные соотношения . 113

5.2. Анализ шумовых зависимостей....... 121

5.3. Шумовые характеристики многокаскадных усилителей 123

5.4. Коэффициент шума усилителя с диссипативными выравнивающими цепями......... 127

Глава 6. Широкополосное согласование в транзисторных усилителях СВЧ.............129

6.1. Постановка задачи. Общие соотношения . . . . 129

6.2. Широкополосное согласование с генератором двухэлементных комплексных нагрузок с помощью цепей со структурой НЧ фильтров........137

6.3. Широкополосное согласование с генератором двухэле-.ментных комплексных нагрузок с помощью полосно-пропускающих цепей.........145

6.4. Широкополосное согласование с генератором комплексных нагрузок с несколькими реактивными элементами 154

6.5. Согласование двухэлементных комплексных нагрузок с помощью простейших цепей с сосредоточенными постоянными .............159

6.6. Широкополосное согласование комплексных нагрузок

с помощью цепей с распределенными постояниы.ми . 163

Часть П. ВОПРОСЫ ТЕОРИИ И РАСЧЕТ ТРАНЗИСТОР- ( НЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ СВЧ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ . . 168

Глава 7. Общие вопросы построения и расчет транзисторных

усилителей СВЧ............168

LL Введение............. 168

7.2. Принципы построения усилителей СВЧ на транзисторах 170

7.3. Узловые вопросы анализа и синтеза транзисторных усилителей СВЧ........... 174

7.4. Широкополосное рассогласование в транзисторных уси-лителях............. 1ТЙ

Глава 8. Широкополосные транзисторные усилители СВЧ с разделенными согласующими и выравнивающими цепями . . l8

8.1. Диссипативные выравнивающие цепи транзисторных усилителей СВЧ...........18!

8.2. Усилители с диссипативными выравнивающими цепями 19!

8.3. Усилители с реактивными выравнивающими цепями (А№<0,3)............20(

8.4. Усилители с комбинированными выравнивающими цепями (Kf вЯн<2)..........2огг

8.5. О подавлении усиления за полосой пропускания усилителя .............20§

Глава 9. Широкополосные усилители с объединенными согла-

сующе-выравнивающими цепями.......211

9.1. Общие соображения, выбор начальных приближений 211

9.2. Усилители с реактивными согласующе-выравниваю-щими цепями............216

9.3. Усилители с диссипативными нерезонансными согла-сующе-выравнивающими цепями (/вЯв>1) . 221

9.4. Усилители с диссипативными резонансными согласую-ще-выравнивающими цепями (Д /о<0,7) .... 224

9.5. О расчете усилителей с распределенными пассивными

цепями......... 226

Глава 10. Прочие типы широкополосных транзисторных усилителей СВЧ.............232

10.1. Усилители с обратной связью....... 232

10.2. Усилители на транзисторах, включенных по схеме с ОБ 234

10.3. Балансные усилители......... 235

10.4. Усилители на транзисторных парах..... 237

Глава 11. Узкополосные транзисторные усилители СВЧ 243

11.1. Усилители с фильтрами сосредоточенной селекции 243

11.2. Усилители с реактивными цепями в частотной области iOl ...........: 245

11.3. О расчете узкополосных усилителей графоаналитическими методами.......... 252

11.4. Усилители в частотной области К<1..... 256

11.5. Усилители с нейтрализованной обратной связью . 265

Глава 12. Машинные методы анализа и синтеза транзисторных усилителей СВЧ....... ... 274

12.1. Методы вычисления начальных значений параметров согласующе-выравнивающих цепей и анализа АЧХ та

12.2. Методы оптимизации параметров транзисторных усилителей СВЧ............277

12.3. Примеры машинного синтеза и оптимизации транзисторных усилителей........ . 281

Глава 13. Методы измерения параметров транзисторов и транзисторных усилителей СВЧ . ...... 285

13.1. Методы измерения стандартных S-параметров . 285

13.2. Методы измерения нестандартных S-параметров . . 288

13.3. Методы измерения основных параметров усилителей 291

13.4. Экспериментальные методы исследования устойчивости 297

13.5. Экспериментальные методы и техника реализации транзисторных усилителей........ 298

Глава 14. Сравнительные характеристики транзисторных усилителей различных типов..........301

14.1. Области применения ........301

14.2. Схемные решения и электрические характеристики щирокополосных усилителей.......303

14.3. Схемные решения и электрические характеристики узкополосных усилителей (Af/fo<0,2) .... 314

Приложение 1. Некоторые параметры маломощных биполярных транзисторов............321

Приложение 2. Пример расчета коэффициента усиления по мощности транзистора, включенного по схеме с ОБ, нейтрализованного цепями без потерь и согласованного по входу и выходу............325

Приложение 3. Примеры расчета, иллюстрирующие методы гл. 2 326

Приложение 4. Соотношения, характеризующие связь между

элементами различных матриц четырехполюсников . 329

Приложение 5. Результаты расчета стандартных S-параметров, инвариантного коэффициента устойчивости и коэффициента усиления в режиме двустороннего согласования . . . 332

Приложение 6. Табулированные значения S-параметров, инвариантного коэффициента устойчивости и коэффициента не-однонаправлениости IS2i/S2l*........334

Приложение 7. Система уравнений для контурных токов модели СВЧ транзистора на рис. 32 ....... 336

Приложение 8. Результаты расчета S-параметров в НЧ и примыкающей к ней областях для транзистора, включенного по схеме с ОЭ............338

Приложение 9. Рекуррентные соотношения для вычисления

элементов НЧ прототипов.........338

Приложение 10. Вспомогательные величины х, у, необходимые для вычисления значений элементов НЧ прототипов (при различном числе п) или элементов полосно-пропускающей цепи для Чебышевского и максимально-плоского приближений (табл. П.12)..........339

Приложение 11. Вывод выражения для определения элементов и коэффициента трансформации нерезонансных согласующих цепей.............340

Приложение 12. Результаты синтеза распределенной цепи из

п отрезков линий равной длины........342

Приложение 13. Результаты расчета параметров транзисторных пар..............345

Приложение 14. Методика расчета цепей смещения для двух

схем...............348

Список литературы............350

Основные обозначения...........360

Предметный указатель...........363

Наум Зиновьевич Шварц

ЛИНЕЙНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ СВЧ

Научный редактор Л. К- Солошек Редактор И. И. Р ю ж и и а Художественный редактор Н. А. Игнатьев Переплет художника Л. Г. Прохорова Технический редактор Т. Н. 3 ы к н н а Корректор 3. Г. Галушкина ИБ № 288

Сдано в набор 3.12.79. Подписано в печать 19.03.80. Т-06067 Формат 84у108/8>. Бумага типографская Л 2 Гарнитура литер. Печать высокая. Объем 19,32 усл. п. л. уч.-язд. л. 19,69. Тираж 10 ООО экз. Зак. 384. Цена 1 р. 10 к. Издательство Советское радяо , Москва, Главпочтамт, а/я 693 Московская типография № 10 Союзполиграфпрома> Государственного Комитета СССР по делам издательств, полиграфии и княжноВ торговли. Москва, M-II14, Шлюзовая наб., 10